磁控溅射沉积系统
Magnetron Sputtering Deposition System
设备简介
该设备为双室多靶磁控溅射镀膜设备，主要用于磁控溅射的方法制备金属膜，半导体膜，陶瓷膜，介质复合膜及多层膜和其它化学反应膜及掺杂膜等。
设备性能指标
＊ 溅射室极限真空度：≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后)；
＊ 进样室极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后)
＊ 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；
＊ 系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.6x10-4 Pa；
进样室40分钟可达到6.6x10-3 Pa
＊ 系统停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；
＊ 系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、进样室、样品库、退火炉、反溅靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。